About The Role

1.负责3D NAND Flash器件的可靠性开发与评估：主导或参与器件级可靠性（如P/E耐久性、数据保持力等）的测试方案设计、数据分析与失效机理研究。
2.聚焦Gate Stack工艺调控与优化：深入研究并优化存储单元栅极堆叠结构（包括隧穿层，存储层，阻挡层等），以显著提升器件的可靠性和性能。
3.协同工艺整合与研发：与工艺整合、薄膜、等团队紧密合作，将器件优化方案转化为可行的工艺条件，并跟进实验流片，分析实验数据。
4.失效分析与问题解决：针对可靠性测试中出现的失效问题，进行深入的器件物理级分析，定位根本原因，并提出有效的解决方案。
5.技术文档撰写：撰写详细的技术报告，包括实验设计、数据分析、结论和建议，为技术决策和知识积累提供支持。
6.支持新产品导入（NPI）：为新产品从研发阶段向大规模量产过渡提供器件可靠性的关键技术支持。
1.硕士及以上学历。微电子、电子工程、物理学、材料科学等相关专业。
2.5年以上半导体器件研发经验，具备3D NAND Flash相关领域的工作背景。
3.深刻理解NAND Flash器件的操作原理、可靠性失效机制（如电荷 trapping/de-trapping,界面态产生等）及关键性能参数。
4.拥有栅极堆叠（Gate Stack）相关模块（如ONO结构，高K介质、金属栅等）的器件设计、工艺集成或可靠性优化的实际项目经验。

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闪存器件资深工程师(J14442)

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