功率半导体设计开发专家（芯片设计开发方向）

任职要求： 1. 学历专业：本科及以上学历，微电子、通信、微电子、物理等专业背景， 2. 工作经验：硕士8年以上，本科12年以上相关行业经验 3. 知识技能：深刻理解功率器件IGBT、MOS、Diode等器件结构原理，掌握器件Fab流片Flow，掌握TCAD、版图、Spice等相关工具。 4. 素质：良好的沟通协调能力和书面表达能力，良好文献检索能力，较强的分析和解决问题能力，有较强的团队管理经验；良好的英语读、写能力。 岗位职责： 负责车用SiC MOSFET芯片的设计开发，具体包含： 1、负责SiC芯片结构、工艺流程设计、方案制定等; 2、负责SiC具体异常的技术分析，反向分析，前沿技术研究与开发; 3、负责对接工艺整合，明确平台能力，输出设计要求，推动设计方案的执行。 4. 根据产品规划和业务发展需求，制定芯片产品和技术发展Roadmap。 5. 负责公司 SiC 芯片产品现有产品优化，新产品开发，新技术预研。 6. 负责公司SiC芯片产品全生命周期管理和支持。 7. 负责SiC 芯片产品项目立项，项目推进和结项工作。