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(2026高)铌酸锂薄膜光子芯片研发设计技术岗(J11420)
CETC Chip Technology · 重庆市
About The Role
- 1.专业发展研究:
- 完成本专业发展研究报告和中长期技术发展规划,要求目标明确,逻辑清晰、重点突出、措施可行。
- 2.技术目标:
- 完成铌酸锂薄膜光子芯片设计/工艺技术开发,铌酸锂薄膜设计、工艺平台建设。
- 3.产品目标:
- 完成铌酸锂薄膜高速电光调制器等光子芯片产品开发。
- 4.市场目标:
- 争取铌酸锂薄膜光子芯片领域相关省部级以上科研项目1项。
- 5.人才建设:
- 培养核心人才2名,培养4骨干技术人才,打造铌酸锂薄膜光子芯片方向专业、高效、梯次合理的研发团队。
- 6.其他成果。
- 1.博士学历。
- 2.光学、光学工程、微波光子、光电子、微电子等相关专业。
- 3.具备铌酸锂薄膜光子芯片方向专业布局及技术引领、产品设计及工艺开发、产品测试验证及应用推广等方面的能力。
- 4.具备使用Lumerical、HFSS、Comsol和L-edit等软件进行铌酸锂薄膜光子芯片仿真设计的能力;具备基于EBL、ICP-RIE进行铌酸锂薄膜光子芯片流片工艺开发的能力;具备指导研发团队进行产品性能指标评估和系统应用验证的能力。
- 5.在海内外大型企业或知名院校有5年以上铌酸锂薄膜光子芯片研发经验。
- 6.对芯片院企业文化具有较高的认可度,可长期稳定工作。
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