先导设计专家-Pre research product design expert(J16928)

1.前沿技术预研：

• 主导FeRAM混合架构等颠覆性技术的原型设计与仿真验证，突破制程物理极限;
• 开发存算一体（PIM）架构下的DRAM单元设计，实现内存内AI运算加速，能效比提升;

2.跨学科协同创新：

• 探索新型材料（如铁电材料HZO、二维半导体）在DRAM单元中的应用，构建从器件物理到系统级可靠性的全链路模型;

3.设计-制造协同攻关：

• 推动DTCO（设计-技术协同优化）在先进DRAM制程中的落地;

4.技术标准与专利布局：

• 参与JEDEC等国际标准组织的新协议制定，主导高速接口（如LPDDR6）的电气规范与测试方法论提案;
• 构建核心技术专利池，年均提交5+项高价值发明专利.

• 学历要求：
• 微电子、材料科学、电子工程、物理等相关专业博士学历;
• 技术能力：
• 1.专业背景：

• 精通DRAM器件物理与电路设计，熟悉电容器结构（如柱状/堆叠电容）、灵敏放大器及解码电路设计;
• 在高速接口（SIPI）、低功耗设计或新型存储器领域有研究积累;

2.工具与技能：

• 熟练使用Sentaurus TCAD、HSPICE、ANSYS HFSS等仿真工具，掌握Python/TCL脚本自动化能力;
• 具备硅后调试能力者优先.