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存储器核心设计工程师-DRAM Core Design Engineer(J17619)
ChangXin Memory (CXMT) · 上海市
About The Role
- 核心电路与通用IP开发:设计存储单元阵列相关的核心电路,主导开发用于DRAM的通用IP;
- 内存架构评估与优化:评估并优化高性能DDR和LPDDR的内存架构,提升产品性能竞争力;
- 电路功能验证与分析:模拟、验证并分析电路功能与性能,输出优化建议;
- 设计质量流程搭建:协助建立设计流程和质量保证流程,确保设计交付规范与可靠性;
- 版图开发全流程管理:监督布局和验证过程,包括布局规划、布局与布线,并指导版图工程师进行布局开发;
- 产品工程硅调试支持:为产品工程部门提供硅调试支持,推动芯片级问题闭环解决。
- 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、电子工程等相关专业,对模拟和数字电路以及CMOS器件有深入的理解;
- 专业技能与资格:能熟练使用Spectre、FineSim、HSPICE、Virtuoso等EDA设计工具,具备模拟信号电路设计和验证经验,包括电路实现、时序分析和优化;
- 行业与专业经验:具备2年以上DRAM电路设计经验,有DRAM、NAND闪存等存储器或其他阵列型电路产品设计和验证经验者优先,有ADC经验者也可接受;
- 项目/任务成果:主导完成过至少一款存储相关电路的设计与验证项目;
- 其他要求:具有团队合作和沟通能力,以及优秀的学习能力、自我驱动力,能适应灵活多变的工作环境。
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