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SRAM器件研发工程师-TD SRAM Device Engineer(J18401)

ChangXin Memory (CXMT) · 安徽省·合肥市

External listingFull-timeabout 2 months ago

About The Role

  • 1.负责当前节点SRAM bitcell的全流程开发, 针对PPA的要求设计出符合工艺开发的cell array layout，包含不限于HD/HC/2P/DP等类型；
  • 2.与Design部门对接, 明确关键电路设计需求和电性改善方向，建立高质量Model；
  • 3.与PIE/UPD部门对接，提出明确的MTS、EDR和FMEA，针对PD/PG/PU器件建立相关的minitor流程；
  • 4.与PTE/YE部门合作，针对defect类型和fail bit电性失效分析迅速定位问题，并给出SRAM相关工艺优化方向，推动良率提升；
  • 5.与QRA部门合作，解决HTOL等可靠性问题，落实改善方案。
  • 1.具有微电子、集成电路、物理或材料等相关专业硕士研究生及以上学历，博士优先；
  1. 精通半导体器件物理、CMOS工艺原理，熟悉常见类型SRAM的工作原理和相关外围电路设计方法；
  • 3.具有1年及以上SRAM IP design/Device/HTOL相关经验，有相关制程（如FinFET）SRAM设计经验者优先；
  • 4.具备良好的数据处理和分析能力，良好的报告撰写和演讲能力；
  • 5.工作态度积极认真，具有良好的团队协作能力和沟通能力，能够与跨部门团队进行有效合作，解决技术问题；

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