About The Role

1.核心技术攻关与失效分析：针对DRAM核心存储单元、外围电路及高速接口的性能、功能与可靠性挑战，主导深度测试方案设计，数据分析与失效根因追溯，重点攻克数据保持力、读写时序、刷新特性、功耗及信号完整性等核心难题；
2.测试方案与程序开发：基于对DRAM架构与JEDEC标准的理解，主导开发晶圆级及成品测试的测试程序，优化测试算法、向量与条件，精准筛选缺陷并表征性能，实现测试效率与覆盖率的最优解；
良率提升与特性建模：通过对测试大数据进行深度统计分析与建模，识别影响良率的关键参数与失效模式，与产品工程、设计、工艺团队协作，提出并验证有效的设计及工艺改进方案，驱动产品良率持续突破；
3.跨领域协同与技术推进：作为测试分析的技术枢纽，将测试发现转化为清晰、可执行的设计规则优化建议或工艺参数调整方案，推动前沿测试方法在先进产品中的应用；
4.技术规范与平台建设：参与制定与完善内部DRAM测试规范与技术标准，协助评估和引入先进测试与分析工具，持续提升团队的技术能力与效率。
1.教育背景与专业知识：硕士或博士学历，微电子、电子工程、半导体物理、集成电路等相关专业，具备DRAM器件物理、存储单元工作原理、阵列架构、解码电路及核心操作时序的系统性知识；
2.专业技能与资格：能使用高端ATE（如Advantest 93K、Teradyne UltraFLEX）完成DRAM测试程序开发，能使用JMP、Python（NumPy、Pandas、Matplotlib）、R等工具完成大规模测试数据的统计、分析与可视化，能指导使用EMMI、OBIRCH、SEM等工具进行失效定位与机理分析；
3.行业与专业经验：8年以上在DRAM原厂或顶级半导体公司产品工程或测试开发部门的深度工作经验，其中至少5年以上专注于先进DRAM产品的测试程序开发、产品特性分析、良率提升或产品工程工作，对DRAM的各类失效模式拥有丰富的诊断与解决经验；
4.项目/任务成果：有成功主导或作为核心成员完成至少两代先进DRAM产品从NPI到大规模量产的测试方案落地与良率爬坡全流程经验；
5.其他要求：具有出色的技术项目自我驱动能力和高效的跨团队协同能力，有指导或培训他人解决复杂技术问题的经验，具有极致的技术钻研精神和强大的数据洞察力，能系统化解决问题并清晰精准地进行技术沟通。

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DRAM测试分析专家-DRAM Test Analysis Expert(J18498)

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