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存储器架构师-Memory Design Architect(J19067)

ChangXin Memory (CXMT) · 上海市, 安徽省·合肥市, 北京市

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About The Role

  1. 主导 存储器整体架构定义，包括阵列组织（Plane/Bank/Page/Block 结构）、字线/位线布局、共享资源策略等；
  2. 主导架构可行性研究、技术风险评估与路线图规划，推动 IP 复用、可扩展性设计及未来技术节点演进；
  3. 设计并优化读写/擦除（Program/Erase/Read）算法，平衡速度、耐久性（Endurance）、数据保持力（Retention）与干扰管理（如 Read Disturb、Program Disturb）；
  4. 制定 ECC（Error Correction Code）策略与集成方案，评估BCH、LDPC（硬解码/软解码）等方案对面积、延迟、功耗及纠错能力的影响；
  5. 定义页（Page）与块（Block）管理层级逻辑，支持高级功能如 Copy-back、Multi-plane Operation、Suspend/Resume、Background Erase 等；
  6. 全方位把控性能（Throughput/Latency）、面积（Die Size）、功耗（Active/Standby Power）及可靠性（P/E Cycles, Data Retention）的平衡，支撑产品定位（消费级/企业级/车规级）；
  7. 与器件/工艺团队紧密合作，基于实际堆叠结构（如CT/FG电荷捕获、垂直通道、字线堆叠层数）反向优化电路与算法设计；
  8. 参与 ONFI / Toggle Mode 接口协议选型与定制，定义寄存器映射、命令集扩展及低功耗模式；
  9. 统筹跨部门（电路、器件、测试、产品）技术评审，制定架构设计规范与仿真验证标准；
  10. 支持硅后验证、良率分析与客户问题攻关，闭环优化架构设计。
  • 学历要求：硕士及以上（博士优先）
  • 专业要求：微电子学与集成电路、电子工程、计算机工程或相关专业；
  • 其他要求或加分项：
  • a) 8年以上Flash 存储器开发经验，其中至少5年担任架构或关键技术负责人角色；
  • b) 精通 存储器 物理结构与操作机理，深入理解电荷捕获（CT）或浮栅（FG）技术、垂直通道、字线堆叠、串扰等特性；
  • c) 熟悉 TLC/QLC/PLC 多比特存储机制及其对读写算法、ECC、磨损均衡的挑战；
  • d) 熟悉 ONFI 4.x / Toggle 3.0 等主流接口协议；
  • e) 出色的系统思维与跨领域整合能力，能高效协调电路、器件、固件、验证、测试及产品团队；
  • f) 良好的技术文档撰写与技术决策沟通能力；
  • g) 能跟踪行业前沿技术（如混合存储、存算一体架构），推动架构创新与专利布局；
  • h) 具备完整的存储芯片架构交付经验，有成功量产 64-layer 以上产品者优先；
  • i) 深入理解 ECC 架构（BCH/LDPC）与 存储 控制器协同机制者优先；
  • j) 其他加分项：熟悉可靠性建模（如 TDDB、HCI、RTN）对架构的影响；
  • k) 其他加分项：在国际会议（如 ISSCC, VLSI, IMW）发表过相关论文。

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