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DRAM电路设计主任工程师-DRAM Circuit Design Staff Engineer(J19389)

ChangXin Memory (CXMT) · 陕西省·西安市

External listingFull-timeabout 2 months ago

About The Role

  1. 架构与方法论评估:评估并优化先进工艺下的存储器架构与设计方法,推动技术方案选型;
  2. 全定制电路设计:设计存储产品中IP模块的全定制电路,涵盖模拟与数字混合电路;
  3. 功能验证与性能分析:执行存储器功能仿真、验证及性能分析,确保电路行为符合设计规格;
  4. 版图设计与验证督导:指导版图设计与验证流程,包含floor-planning、placement & routing及DRC/LVS,保障版图质量;
  5. 硅片测试支持:为产品工程团队提供硅片debug的技术支持,推动产品问题闭环。
  6. 教育背景与专业知识:微电子、电子工程或相关专业,硕士及以上学历,深入理解数字/模拟电路及CMOS器件物理;
  7. 专业技能与资格:能使用Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA工具完成电路设计与验证;
  8. 行业与专业经验:3年以上电路设计经验,有LPDDR/DDR 产品设计与验证经验者优先;
  9. 项目/任务成果:参与过至少一款产品的全定制电路设计与验证,并完成流片,有产品设计验证经验者优先;
  10. 其他要求:具备混合信号电路设计与验证经验,含电路实现、时序分析及优化,有ASIC设计背景(如RTL coding、STA)者优先,具有团队协作精神与沟通能力,能自我驱动并在灵活动态的环境中持续学习。

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