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器件研发工程师-TD Device Engineer(J14370)

ChangXin Memory (CXMT) · 北京市

External listingFull-timeabout 2 months ago

About The Role

  1. 器件电性数据分析：分析CMOS器件WAT测试结果，结合in-line数据定位器件电性偏差的根本原因，提出改善方向；
  2. 器件结构参数制定：根据项目要求制定器件结构物理参数目标，确保器件性能满足设计规格；
  3. 器件参数优化协同：与产品设计部门合作，对关键器件参数进行仿真分析与优化，推动器件性能持续提升；
  4. 量产前器件管控：解决产品量产前的器件参数达标及波动控制问题，主导参数管控方案的制定与闭环。
  5. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子学、半导体器件、集成电路、材料科学等相关专业背景；
  6. 专业技能与资格：具备JMP或SAS数据分析能力，能独立完成WAT及in-line数据关联分析，具备基本的英语沟通能力，能进行英文口语沟通及报告书写；
  7. 行业与专业经验：具有3年以上Device、PIE或Design相关工作经验，熟悉半导体器件原理与工艺制程；
  8. 项目/任务成果：主导或参与过至少1个器件参数优化或量产前器件管控项目，并能输出分析报告与管控方案；
  9. 其他要求：工作注重细节，严谨认真，乐于学习，具备较强的团队协作能力。

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