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DRAM先导设计验证主任工程师-DRAM Advanced Design Verification Staff Engineer(J19370)

ChangXin Memory (CXMT) · 上海市, 安徽省·合肥市, 北京市

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About The Role

  1. 验证流程与平台研发：主导DRAM先导产品的设计验证流程，以及先进验证平台的研发与导入，推动验证技术升级；
  2. 产品设计验证执行：负责DRAM先导产品的整体设计验证，涵盖功能、时序及功耗分析，确保设计质量；
  3. 算法模型与验证策略：研发DRAM产品相应的算法模型，主导验证评估策略，包含各类仿真模型的开发与应用；
  4. 测试方案与硅后协同：研究DRAM先导产品芯片及系统的测试方案，协同DRAM产品的硅后测试，确保硅前验证与硅后测试的一致性；
  5. 跨团队策略制定与推进：协同设计、版图、测试、工艺团队，制定有效的DRAM产品设计验证策略，加速验证进程并增强硅前验证覆盖。
  6. 教育背景与专业知识：微电子、电子工程或相关专业，硕士及以上学历；
  7. 专业技能与资格：熟悉Verilog硬件描述语言及相应的验证语言（如SV、SC、E、SPEC-man、UVM等）；熟悉设计验证主流EDA工具（含数字、模拟及数模混合仿真工具）；了解逻辑综合、静态时序分析、功耗分析工具者优先；具备C、C++、Perl、TCL、Python等脚本开发能力；
  8. 行业与专业经验：5年以上设计验证相关经验，有DRAM相关经验者优先；
  9. 项目/任务成果：主导过至少一款DRAM先导产品或复杂芯片的完整设计验证项目，并完成硅前验证签核；
  10. 其他要求：具有团队协作和交流能力，能主动钻研并在压力下推进验证任务。

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