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存储电性失效分析专家-DRAM Electrical Failure Analysis Expert(J18488)
ChangXin Memory (CXMT) · 上海市, 安徽省·合肥市
About The Role
- 1.主导DRAM电性失效分析及电路原理拆解，提供技术性指导，推动失效根因定位与闭环；
- 2.掌握DRAM测试pattern sequence原理及模拟验证方法，并能对团队进行技术性指导。
- 1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子及相关专业，具备扎实的半导体器件与DRAM电路原理知识；
- 2.专业技能与资格：深入了解电性分析相关机台操作与原理；精通core timing及SA operation；
- 3.行业与专业经验：10年以上DRAM电性失效分析经验，熟悉DRAM电路模块功能，包括Fuse电路、array模块和periphy data path模块；
- 4.项目/任务成果：主导过至少2个DRAM电性失效分析项目，成功定位并闭环关键失效问题；
- 5.其他要求：具有技术指导能力，能主动识别技术瓶颈并推动团队解决。
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